BJT design

[oldPsyho]

Згадав я тут давню розмову з Андрієм, на рахунок розрахунку каскадів з ОЕ/ОБ/ОК
Спробував розрахувати каскад з ОЕ))

Напруга на ємітері  Ue - 0.56в
Коєфіціент підсилення h21e - 400

Струм ємітера Ue/R3
Ie = 0.56/0.1 = 5.6mA

Знаходимо опір ємітерного переходу 25mv/Іе
(25mv це теплова напруга PN переходу при кімнатній температурі 25 градусів)
re = 25/5.6 =  4.5ом

Вхідний опір буде re(h21e+1)
Rвх = 4.5(400+1) = 1804 ом
 
Вихідний же опір в такому включені буде визначатися номіналом R4 - Rвих = 1к

P.S. Вроді правильно порахував...
 

[UR5FFR]

Вхідний опір буде re(h21e+1)
Rвх = 4.5(400+1) = 1804 ом

Це ті порахував вхідний опір транзистора. Треба ще добавити R1R2. По змінному струму вони включені паралельно Rвх. Тому повний вхідний опір буде дорівнювати Rвх' = Rвх | R1 | R2 = 1 / (1/Rвх + 1/R1 + 1/R2) = 1495ом

Вихідний же опір в такому включені буде визначатися номіналом R4 - Rвих = 1к

 

Вихідний опір буде дорівнювати R4 до якого паралельно підключено внутрішній вихідний опір транзистора, який дуже великий, бо транзистор - це по суті генератор струму, а генератор струму має дуже великий внутрішній опір.
Тому вихідний опір приблизно дорівнює R4 та становить 100ом

На ВЧ треба враховувати ємності і вхідний опір зменшується Rвх' = Rвх | R1 | R2 | Xвх | Xmil
Тут Xвх - це реактанс вхідної ємності транзистора на потрібній частоті.
Xmil - це реактанс який додає ефект Міллера. Дорівнює прохідний ємності помноженої на коефіцієнт підсилення +1.
Детальніше це є тут: Работа транзистора на высоких частотах