Я трохи експериментував зі схемами складання потужностей і ось що з цього вийшло.
Використані дешеві та доступні транзистори IRF520, але можна експериментувати і з іншими типами силових MOSFET-ів. Так як стік силових транзисторів з'єднаний з корпусом, застосована схема включення із заземленим стоком. Це дозволяє закріпити їх на радіаторі без ізолюючих прокладок. Полярність живлення буде негативна (плюс на землі). Напруга живлення повинна не перевищувати половину максимально допустимї напруги исток-сток для обраного типу транзисторів. У разі використання IRF520 напруга живлення не повинна перевищувати 50в.
Струм спокою для кожного транзистора виставляється окремо і становить 50ма. Загальний струм спокою підсилювача - 200ма.
Трансформатори на довгих лініях виготовлені з коаксіалу (бажано фторопластового). Феритові кільця 2000НМ. Кількість витків видно на фото.
На виході підсилювача обов'язково застосування ФНЧ (на схемі не показано). У мене стоять прості 5-го порядку на кільцях T68.
При живленні 24в і подачі на вхід 5Вт на виході отримано рівно 100Вт (200В пік-пік).
При підвищенні напруги живлення до 30В на виході при подачі на вхід 11Вт отримуємо на виході 170Вт.
При підвищенні напруги живлення до 44в та подачі на вхід 11вт на виході маємо 225вт.
При тривалій безперервній роботі необхідно встановити робити обдув трансформаторів бо гріються.